电子产品:迈向通用记忆的一步?

作者:龙眵

一种新型的内存,高性能,应该是市场在2016年通过赫夫·莫林发布时间2015年9月11日在在11:42 - 最后更新日期2015年9月15日10:42在播放时间1分钟。文章提供给用户在其分析仍更多的数据,电脑卡在瓶颈的狂热:该信息未达到足够快的速度是手柄的微处理器。通过咀嚼工作的RAM驱动内存存储到芯片的链条太慢了。但英特尔和美光认为他们已经找到了一种通过新型内存提升性能的方法。 3D XPOINT被呈现为快1000倍和持久的非易失性NAND闪存型,更致密的10倍以上DRAM(DRAM),并且是便宜的。该技术,宣布了今年夏天由两家美国公司,是基于允许重叠网格,其交叉点,根据施加的电压的架构,代表了0和1的数字语言。它进入通常的晶体管,并且可能根据出现在整个存储器材料的每个比特的电阻变化的过程。卢卡佩尔尼奥拉,在CEA-LETI回忆录实验室经理指出,该技术的细节将被称为“通过逆向工程,”当最初的记忆将于2016年上市,他认为,业绩将是“一场革命另一方面,向通用记忆又迈出了一步,似乎距离很远。....